通常情況下，離子束切割技術(shù)制備平整斷面時(shí)，以片狀為主來(lái)做離子束切割，以塊狀待加工面積較大時(shí)，采用旋轉(zhuǎn)拋光的方式。徠卡三離子束切割儀EM TIC 3X制備平整面時(shí)，有其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，離子槍為鞍型場(chǎng)槍?zhuān)瑹崃糠稚ⅲ庸悠菲秸娣e大，對(duì)樣品熱損傷小。

在實(shí)際使用三離子束EM TIC 3X技術(shù)獲取樣品無(wú)應(yīng)力平整斷面時(shí)，粉末樣品的剖面是常常會(huì)遇到的，根據(jù)離子束設(shè)備對(duì)樣品的要求，完全可實(shí)現(xiàn)粉末樣品的加工，如金屬及氧化物粉體材料，無(wú)機(jī)粉體材料，高分子粉體材料以及復(fù)合粉體材料等，只需將適量粉體材料包埋為塊體即可。通常為片狀。

在包埋粉體類(lèi)樣品時(shí)，通常有三種方法，樹(shù)脂包埋法，導(dǎo)電碳膠包埋法，刮片法，在此處介紹前兩種方式，此二種方式簡(jiǎn)單易操作，且切出面積大，不僅可以用于掃描電鏡，原子力顯微鏡等形貌分析，也可做能譜定性定量分析，EBSD的晶粒取向等分析。

對(duì)于樹(shù)脂包埋法，制備所需準(zhǔn)備為：樹(shù)脂，包埋板，加熱臺(tái)，砂紙。大致流程如下：取適量樣品成團(tuán)聚狀態(tài)放入包埋板中，樹(shù)脂混合均勻后注入包埋板，在有樣品的位置做局部的攪拌（樣品若分散開(kāi)則單位面積顆粒少，即加工后單位面積中顆粒剖面少），加熱臺(tái)加熱即可固化，之后將待加工面磨拋出來(lái)即可，若想效果最佳，效率最高，則與徠卡精研一體機(jī)EM TXP配合最為完美，樣品固定后，鋸片切到顆粒最多位置，換拋光片由粗到細(xì)磨拋即可。

Prisma & Prisma EX多功能環(huán)境真空鎢燈絲分析掃描電子顯微鏡

產(chǎn)品規(guī)格

憑借過(guò)去 60 年的技術(shù)創(chuàng)新歷史和業(yè)內(nèi)領(lǐng)導(dǎo)地位， FEI 成為了透射電子顯微鏡 (TEM)、 掃描電子顯微鏡 (SEM)、整合了 SEM 與聚焦離子束 (FIB) 的 DualBeam? 儀器和 用于精密高速切割與加工的專(zhuān)用聚焦離子束儀器的性能標(biāo)準(zhǔn)。 FEI 成像系統(tǒng)在三維 表征、分析和修改/原型設(shè)計(jì)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了亞埃(埃:十分之一納米)級(jí)分辨率。

性能與優(yōu)點(diǎn)

Prisma & Prisma EX多功能環(huán)境真空鎢燈絲分析掃描電子顯微鏡

• 一款真正多用途實(shí)驗(yàn)室用性能全面、易操作的SEM鎢燈絲掃描電子顯微鏡

• 具有獨(dú)有的ESEM?環(huán)境真空模式

• 高真空、低真空和ESEM?環(huán)境真空三種真空模式，適合分析zei廣泛的樣品，樣品范圍包括導(dǎo)電材料、不導(dǎo)電材料、脫氣、未鍍膜或其他不適用真空的樣品。

• 一系列集成的實(shí)時(shí)分析軟件來(lái)完成動(dòng)態(tài)的實(shí)驗(yàn)檢測(cè)分析。

• 低真空和ESEM環(huán)境真空能夠滿(mǎn)足非導(dǎo)電材料和含稅樣品的檢測(cè)分析

• 原位功能使即使是絕緣的或高溫的樣品也能獲得可靠的分析結(jié)果。

• 支持掃描前的預(yù)設(shè)置，具有導(dǎo)航和SmartScanTM功能的相機(jī)提高了工作效率、數(shù)據(jù)質(zhì)量和滿(mǎn)足更高要求的使用要求。

• -165°C to 1400°C溫度范圍下的原位分析

• 加速電壓: 200 V - 30 kV

• 電子放大倍數(shù): 6x – 1,000,000x (可同時(shí)采集和顯示四幅圖像)

• 探測(cè)器：高真空模式Everhart-Thomley二次電子探測(cè)器(E-T SED)；低真空SE探測(cè)器（LVD）；ESEM環(huán)境真空模式氣體二次電子探測(cè)器（GESD）；樣品室紅外CCD相機(jī)

• 真空系統(tǒng)：1個(gè)250L/s渦輪分子泵，1個(gè)旋轉(zhuǎn)機(jī)械泵；專(zhuān)利的“穿過(guò)透鏡”的壓差真空系統(tǒng)；排氣時(shí)間≤3.5min到高真空，≤4.5min到ESEM真空/低真空；可選CryoCleaner冷阱；可選升級(jí)到無(wú)油滾動(dòng)/干式PVPs

• 樣品室：

o 內(nèi)徑 340 mm

o 分析工作距離 10 mm

o 12個(gè)附件接口

o EDS采集角: 35°

• 分辨率：

高真空模式

• 3.0 nm @ 30 kV (SE)

• 4.0 nm @ 30 kV (BSE)*

• 8.0 nm @ 3 kV (SE)

高真空下減速模式

• 7.0 nm @ 3 kV

低真空模式

• 3.0 nm @ 30 kV (SE)

• 4.0 nm @ 30 kV (BSE)

• 10 nm @ 3 kV (SE)

• ESEM環(huán)境真空

• 3.0 nm @ 30 kV (SE)

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注：該產(chǎn)品未在中華人民共和國(guó)食品藥品監(jiān)督管理部門(mén)申請(qǐng)醫(yī)療器械注冊(cè)和備案，不可用于臨床診斷或治療等相關(guān)用途。