HB 6731.12-2005
鋁合金化學(xué)成分光譜分析方法 第12部分：電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法測定硅含量

Mtehods for spectromertic analysis of aluminium alloys--Part 10:Determination of silicon content by inductivel coupled plasma atomic spectrometric method

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標(biāo)準(zhǔn)號(hào)

HB 6731.12-2005

發(fā)布

2005年

總頁數(shù)

6頁

發(fā)布單位

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-航空

當(dāng)前最新

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引用標(biāo)準(zhǔn)

HB 5218.6-2004 HB 5421 HB/Z 207

適用范圍

警告--使用本部分的人員應(yīng)有正規(guī)實(shí)驗(yàn)室工作的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。本部分并未指出所有可能的安全問題。使用者有責(zé)任采取適當(dāng)?shù)陌踩徒】荡胧?，并符合國家有關(guān)法規(guī)規(guī)定的條件。 本部分規(guī)定了用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法（ICP-AES 法）測定鋁合金中硅含量的原理、試劑、儀器、分析步驟、分析結(jié)果的計(jì)算、允許差和質(zhì)量控制與要求。 本部分適用于鋁合金中硅含量的測定。 測定范圍: 0.05%～12.00%.

HB 6731.12-2005 中可能用到的儀器設(shè)備

專題

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