GB/T 24582-2023
多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量測定 酸浸取-電感耦合等離子體質(zhì)譜法
Determination of metal impurity content on polysilicon surface by acid leaching-inductively coupled plasma mass spectrometry
GBT24582-2023, GB24582-2023
- 標準號
- GB/T 24582-2023
- 別名
- GBT24582-2023, GB24582-2023
- 發(fā)布
- 2023年
- 總頁數(shù)
- 6頁
- 發(fā)布單位
- 國家質(zhì)檢總局
- 當前最新
- GB/T 24582-2023
- 引用標準
- GB/T 11446.1 GB/T 25915.1-2021
- 被代替標準
- GB/T 24582-2009
- 本體
- 多晶硅
- 適用范圍
- 本文件描述了用酸從多晶硅表面浸取金屬雜質(zhì)，并用電感耦合等離子質(zhì)譜儀定量檢測多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量的方法。本文件適用于太陽能級多晶硅和電子級多晶硅表面堿金屬、堿土金屬和第一系列過渡元素如鈉、鉀、鈣、鐵、鎳、銅、鋅、鋁等雜質(zhì)元素含量的測定,測定范圍為 0.01~ng/g
| 多晶硅 multi-crystalline silicon | 一種廣泛用于太陽能電池和電子器件的半導體材料，具有多晶結(jié)構(gòu)。 |
| 金屬雜質(zhì) metallic impurities | 存在于多晶硅表面或內(nèi)部的金屬元素，可能影響其電學性能。 |
| 電感耦合等離子質(zhì)譜儀（ICP-MS） Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometer (ICP-MS) | 一種用于檢測和定量分析金屬元素的高靈敏度儀器。 |
GB/T 24582-2023 中提到的儀器設備
| ICP-MS 電感耦合等離子質(zhì)譜儀（ICP-MS） 帶動態(tài)反應池，質(zhì)量分辨率低于 0.8 amu | 用于檢測金屬元素含量的高靈敏度儀器。 |
| 分析天平 分度值為 0.001 g | 用于精確稱量樣品質(zhì)量。 |
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專題
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