T/ZZB 0648-2018
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200 mm heavily phosphorus-doped single crystalline Czochralski silicon polished wafers
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- T/ZZB 0648-2018
- 發(fā)布
- 2018年
- 總頁(yè)數(shù)
- 11頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 中國(guó)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
- 當(dāng)前最新
- T/ZZB 0648-2018
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 11073 GB/T 12962 GB/T 12963-2014 GB/T 12965 GB/T 14140 GB/T 14264 GB/T 1550 GB/T 1555 GB/T 19921 GB/T 24578 GB/T 2828.1-2012 GB/T 29507 GB/T 32279 GB/T 32280 GB/T 4058 GB/T 6616 GB/T 6619 GB/T 6624 YS/T 28
- 本體
- 多晶硅
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了200 mm重?fù)搅字崩鑶尉伖馄男g(shù)語(yǔ)和定義、產(chǎn)品分類(lèi)、基本要求、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存、訂貨單（或合同）內(nèi)容和質(zhì)量承諾。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于以電子級(jí)多晶硅為主要原材料，采用直拉法制備的直徑為200 mm的硅單晶拋光片。產(chǎn)品主要用于集成電路、分立器件用外延片的襯底。
| 術(shù)語(yǔ) | 描述 |
|---|---|
| 導(dǎo)電類(lèi)型 Conductivity Type | 硅拋光片的導(dǎo)電類(lèi)型由摻雜元素決定，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定為N型。 |
| 電阻率 Resistivity | 電阻率是硅拋光片的重要參數(shù)，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定其最大值為0.0015 Ω·cm。 |
| 總厚度變化（TTV） Total Thickness Variation (TTV) | 硅拋光片厚度的不均勻性，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定其最大值為3 μm。 |
| 翹曲度 Bow | 硅拋光片的翹曲程度，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定其最大值為60 μm。 |
| 局部平整度 Local Flatness | 硅拋光片局部區(qū)域的平整程度，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定其最大值為0.25 μm（25 mm×25 mm）。 |
T/ZZB 0648-2018 中提到的儀器設(shè)備
| 非接觸渦流法電阻率測(cè)試儀 GB/T 6616 | 用于硅拋光片電阻率的測(cè)試，依據(jù)GB/T 6616標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。 |